[发明专利]一种八甲基环四硅氧烷中金属杂质的去除设备及工艺有效
| 申请号： | 202011640584.0 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112759608B | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 蒲云平;莫杰;冯晓青;赵强;胡通;纪淼;宁红锋 | 申请（专利权）人： | 有研国晶辉新材料有限公司 |
| 主分类号： | C07F7/21 | 分类号： | C07F7/21 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 金铭 |
| 地址： | 065201 河北省廊坊市三*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种八甲基环四硅氧烷中金属杂质的去除设备及工艺，包括将待纯化的八甲基环四硅氧烷与吸附剂及萃取剂混合，进行吸附‑萃取反应；所述吸附‑萃取反应结束后，静置分层，将上层清液分离至精馏塔中进行精馏提纯，即得到高纯度八甲基环四硅氧烷。本工艺利用极性溶剂更易溶解极性物质的原理，采用极性溶剂从非极性溶剂八甲基环四硅氧烷中萃取金属杂质，并采用吸附剂吸附极性溶剂中的金属杂质，使萃取平衡向极性溶剂中转移，然后再经静置分层，分离出上层八甲基环四硅氧烷。本发明的工艺避免了吸附的金属杂质脱附，从而获得了稳定的金属杂质去除效果，而且还减少了后续精馏的难度，具有节省能耗的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 甲基 环四硅氧烷中 金属 杂质 去除 设备 工艺 | ||
【主权项】：
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