[发明专利]一种制备碳化硅粉料的装置及方法有效
| 申请号： | 202011641582.3 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112830492B | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 热尼亚;靳婉琪;王超 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/984 | 分类号： | C01B32/984 |
| 代理公司： | 北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11716 | 代理人： | 冯妙娜 |
| 地址： | 250118 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种制备碳化硅粉料的装置及方法，该装置包括：炉体，炉体内部设置隔板，隔板关闭时，将炉体内部分隔为两部分；隔板打开时，炉体内部连通；电极，电极的表面至少部分覆盖碳源原料；坩埚，坩埚置于炉体内部；坩埚与电极发生相对位移，以使得电极能够进入或远离坩埚内。本申请通过在炉体内设置隔板，在硅源原料熔化过程中，通过隔板将炉体内硅源原料和碳化原料隔开，避免加热时硅液挥发而在碳化原料处结晶，以影响粉料的生长，提高了粉料生长的质量。该方法通过控制隔板的打开或关闭，可避免硅源原料熔化过程中，硅液挥发而在碳化原料处结晶，使得到的粉料的氮杂质含量和其它杂质含量低，可用于高纯碳化硅晶体的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 碳化硅 装置 方法 | ||
【主权项】：
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