[发明专利]利用涂布有光刻胶的过期空白原材制造光罩的方法在审
申请号: | 202011641934.5 | 申请日: | 2020-12-31 |
公开(公告)号: | CN112859513A | 公开(公告)日: | 2021-05-28 |
发明(设计)人: | 杜武兵;林伟;司继伟 | 申请(专利权)人: | 深圳市路维光电股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/68 | 分类号: | G03F1/68;G03F1/82 |
代理公司: | 深圳市翼智博知识产权事务所(普通合伙) 44320 | 代理人: | 黄莉 |
地址: | 518057 广东省深圳市南*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明实施例涉及一种利用涂布有光刻胶的过期空白原材制造光罩的方法,包括以下步骤:使用涂布有光刻胶且已过期的空白原材,按照常规的黄光制程进行曝光、显影、蚀刻和脱膜作业;根据光刻胶确定烘烤参数,并根据所述烘烤参数在曝光和显示两工序之间或者在显影和蚀刻两工序之间对原材进行烘烤作业。本发明实施例通过在使用已过期的空白原材制作光罩的过程中增加一道烘烤工序,而可以有效改善因空白原材上的光刻胶保护性能降低所带来的光罩针孔和线边缺口问题,无论在针孔和线边缺口的数量还是尺寸大小上,都有显著的改善,可有效减小原材报废量,降低光罩制造成本。 | ||
搜索关键词: | 利用 涂布有 光刻 过期 空白 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市路维光电股份有限公司,未经深圳市路维光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202011641934.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备