[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202011642715.9 | 申请日： | 2018-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN112768526A | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/762;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李永叶 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种半导体装置，包括：衬底，包括基底衬底、基底衬底上的第一半导体层以及第一半导体层上的第二半导体层；在衬底上形成的沿同一直线延伸的第一和第二鳍状结构，每一鳍状结构至少包括第二半导体层；在所述直线两侧绕第一和第二鳍状结构形成的第一隔离部；分别基于第一和第二鳍状结构在衬底上形成的第一FinFET和第二FinFET，其中，第一和第二FinFET包括在第一隔离部上形成的分别与第一和第二鳍状结构相交的第一和第二栅堆叠；以及第一和第二鳍状结构之间、与第一和第二鳍状结构相交从而将第一鳍状结构和第二鳍状结构彼此隔离的第二隔离部，其中第二隔离部与第一和第二栅堆叠中至少之一平行延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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