[发明专利]半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 202011643726.9 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112802753A | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 黄康荣;宁润涛;周正良;庞宏民 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 510000 广东省广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括提供衬底，所述衬底上形成有第一导电类型外延层，所述第一导电类型外延层中形成有沟槽，所述第一导电类型外延层上形成有硬掩模层；进行第一离子注入工艺，在所述沟槽下方的第一导电类型外延层内形成第二导电类型离子注入层；进行热退火工艺，以激活所述第一离子注入工艺中注入的离子。本发明在沟槽底部的第一导电类型外延层中形成第二导电类型离子注入层并进行退火工艺，降低了沟槽底部的电场强度，提高了沟槽底部的击穿电压，以便在此基础上通过提高所述第一导电类型外延层的掺杂浓度或减薄所述第一导电类型外延层的厚度来减小所述半导体器件的导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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