[发明专利]用于电力芯片的非易失性存储读取加速方法有效

专利信息
申请号: 202011643848.8 申请日: 2020-12-30
公开(公告)号: CN112711383B 公开(公告)日: 2022-08-26
发明(设计)人: 杜俊慧;黄凯;李鹏;习伟;陈军健;蒋小文;王轲;于杨;张铖洪;徐文渊;彭勇刚;刘智力 申请(专利权)人: 浙江大学;南方电网数字电网研究院有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06;G06F12/02;G06F12/0862;G06F13/16
代理公司: 杭州浙科专利事务所(普通合伙) 33213 代理人: 孙孟辉
地址: 310013 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明属于存储器控制领域,涉及用于电力芯片的非易失性存储读取加速方法,通过行长自适应缓存加速处理器从Flash读取指令和跨步预取加速处理器从Flash读取数据,其中所述通过行长自适应缓存加速处理器从Flash读取指令包括:对处理器发起的取指请求,根据缓存命中和缺失判断,进行缓存行填充并重构缓存行长,向Flash发起读取指令请求;所述通过跨步预取加速处理器从Flash读取数据包括:对处理器发起的取数请求,根据缓冲寄存器命中和缺失的判断和跨步预取使能位的有效情况,向Flash发起读取数据请求。本发明硬件开销小,提高了处理器从Flash中读取指令和数据的速度,同时降低了访问功耗。
搜索关键词: 用于 电力 芯片 非易失性 存储 读取 加速 方法
【主权项】:
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