[发明专利]碳化硅衬底蚀刻治具在审
| 申请号： | 202011644347.1 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112853499A | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 王泽隆;张洁;林武庆;苏双图;陈文鹏 | 申请（专利权）人： | 湖南三安半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 严诚 |
| 地址： | 410000 湖南省长沙市高新开发*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅衬底蚀刻治具，涉及碳化硅生产技术领域。该碳化硅衬底蚀刻治具包括多个容置盘和转轴。容置盘用于容置碳化硅衬底。多个容置盘层叠设置，转轴与多个容置盘转动连接，且任意一个容置盘均能够独立绕转轴转动。该碳化硅衬底蚀刻治具能够保护碳化硅衬底，降低碳化硅衬底被磕碰的几率，且蚀刻效率较高，蚀刻效果较好。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 衬底 蚀刻 | ||
【主权项】：
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