[发明专利]一种CdTe太阳电池的制作方法在审
申请号: | 202011645748.9 | 申请日: | 2020-12-31 |
公开(公告)号: | CN112768557A | 公开(公告)日: | 2021-05-07 |
发明(设计)人: | 彭寿;汪元元;吴一民;马立云;殷新建;陈瑛 | 申请(专利权)人: | 中国建材国际工程集团有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 200061 上海市普*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种CdTe太阳电池的制作方法,其特征在于:提供一个带有底电极的衬底层,沉积光吸收层和背电极层;用三个激光头阵列的激光器同时在CdTe薄膜电池结构上刻线,第一激光头的激光刻断底电极、光吸收层和背电极层,第二和第三激光头的激光刻断光吸收层和背电极层;三个激光头阵列同时工作,将整个膜层分割为多个电池单元;在第一激光器刻线处丝网印刷低温固化绝缘胶,填充于第一激光头刻线槽内;第一激光器和第二激光器刻线处丝网印刷低温固化导电浆料,固化后得到多个电池单元串联的CdTe太阳电池。本发明简化工艺流程,减少环保压力,工艺过程显著降低成本并提高良率。 | ||
搜索关键词: | 一种 cdte 太阳电池 制作方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的