[实用新型]一种二次电子发射性能参数测试装置有效
| 申请号： | 202020028723.3 | 申请日： | 2020-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN211505286U | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | 闫保军;刘术林;温凯乐;王玉漫;张斌婷;谷建雨 | 申请（专利权）人： | 中国科学院高能物理研究所 |
| 主分类号： | G01N23/2251 | 分类号： | G01N23/2251 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理有限公司 11200 | 代理人： | 司立彬 |
| 地址： | 100049 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种二次电子发射性能参数测试装置。本装置包括球形电子收集器，其由外向内依次是：球形收集极、球形抑制极和球形接地极；球形电子收集器固定在真空室内的电子收集器固定装置上，其上方设有入射电子孔，电子枪口由入射电子孔进入球形电子收集器内部，球形电子收集器的下方设有样品台进出孔；样品台升降旋转装置，包括安装在真空室外的磁流体控制器、真空室内的螺杆传动机构及与之连接的齿轮旋转机构，样品台与齿轮旋转机构连接，样品台从球形电子收集器下方开孔处进入其内部；磁流体控制器通过螺杆传动机构及与之连接的齿轮旋转机构驱动样品台上下移动及旋转；样品台一面用于放置待测样品，另一面上固定一次电子收集器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二次电子 发射 性能参数 测试 装置 | ||
【主权项】：
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