[实用新型]垂直芯片表面发射激光器及其一维和二维阵列有效
| 申请号： | 202020081085.1 | 申请日： | 2020-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN211719953U | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | 朱颂义;王元立 | 申请（专利权）人： | 北京通美晶体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/42;H01S5/02 |
| 代理公司： | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人： | 李星宇;郑建晖 |
| 地址： | 101113 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了垂直芯片表面发射激光器，其包括：基片，具有承置面和与承置面成45度角的反射面；以及边发射激光器芯片，布置在基片的承置面上。边发射激光器芯片被定位成边发射激光器芯片的发射端朝向反射面且发射端发射出平行于承置面的激光束，激光束的方向与承置面和反射面的交线垂直。本实用新型还提供垂直芯片表面发射激光器的一维阵列和二维阵列。本实用新型通过在具有45度反射面的散热基片上设置边发射激光器实现了边发射激光器到垂直芯片表面发射激光器的转化，并且实现了垂直表面发射激光器的一维和二维阵列。与垂直腔面发射激光器相比，这种垂直芯片表面发射激光器件结构简单、制造工艺成熟，从而加工成本更低、产品可靠性更高。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 芯片 表面 发射 激光器 其一 维和 二维 阵列 | ||
【主权项】：
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