[实用新型]GGNMOS器件、多指GGNMOS器件及保护电路有效
| 申请号： | 202020091178.2 | 申请日： | 2020-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN211350658U | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 陈萧静;张薇;储小玲;朱恒宇 | 申请（专利权）人： | 北京锐达芯集成电路设计有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L27/088;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人： | 张雪梅 |
| 地址： | 101111 北京市大兴区经济技术*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种GGNMOS器件，包括衬底；形成于衬底中的源极和漏极，源极包括第一、第二源极，漏极位于第一、第二源极之间；形成于衬底上的栅极，栅极包括第一、第二和第三栅极；第三栅极包括沿第一方向延伸的第一、第二部，沿第二方向延伸的第三、第四部，第三、四部均位于第一、二部之间且两端分别连接第一、第二部，以将第一、二部之间的区域限定为第一区域、第二区域、位于第一、第二区域之间的第三区域；第一栅极位于第一区域，第一栅极在衬底上的正投影部分或全部围绕第一源极的正投影；第二栅极位于第二区域，第二栅极在衬底上的正投影部分或全部围绕第二源极的正投影。本实用新型还提供多指GGNMOS器件及ESD保护电路。 | ||
| 搜索关键词： | ggnmos 器件 多指 保护 电路 | ||
【主权项】：
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