[实用新型]一种有隐埋门极的大功率GTO晶闸管有效
申请号: | 202020095126.2 | 申请日: | 2020-01-16 |
公开(公告)号: | CN210956681U | 公开(公告)日: | 2020-07-07 |
发明(设计)人: | 王连来 | 申请(专利权)人: | 广州市晶泰电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L29/74 | 分类号: | H01L29/74;H01L29/423 |
代理公司: | 广州越华专利代理事务所(普通合伙) 44523 | 代理人: | 陈岑 |
地址: | 511450 广东省广州市番禺区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种有隐埋门极的大功率GTO晶闸管,所述大功率GTO晶闸管从下往上依次包括阳极、第一P型半导体层、第一N型半导体层、第二P型半导体层、第二N型半导体层、阴极,所述第二P型半导体层中设有多个间隔相同的隐埋门极和门栅极。本实用新型的有益效果是:隐埋门极的设置减少导通面积的损失、减小热阻,使大功率GTO晶闸管关断时间短、开通特性好。开通特性好包括允许的通态电流上升率较高,通态电压上升率较高,并能增大大功率GTO晶闸管发射结的击穿电压;这个增大的击穿电压为门极的驱动设计简单化提供了条件,这样可以使门极驱动单元的生产成本降低,重量减轻,体积变小以及提高稳定性。 | ||
搜索关键词: | 一种 有隐埋门极 大功率 gto 晶闸管 | ||
【主权项】:
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