[实用新型]非对称面积石墨烯金属异质结光电探测器有效
申请号: | 202020111806.9 | 申请日: | 2020-01-17 |
公开(公告)号: | CN210956689U | 公开(公告)日: | 2020-07-07 |
发明(设计)人: | 李全福;张祺;陈武良;彭慧玲;宋辉;朱小虎;李廷会;朱君 | 申请(专利权)人: | 广西师范大学 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0352;H01L31/028;H01L31/0224;H01L31/108 |
代理公司: | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人: | 石燕妮 |
地址: | 541004 广西壮*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种非对称面积石墨烯金属异质结光电探测器,包括硅衬底、二氧化硅层、三氧化二铝钝化层、高功函电极、低功函电极和石墨烯层,二氧化硅层位于硅衬底的上方,高功函电极和低功函电极均位于二氧化硅层远离硅衬底的一侧,高功函电极和低功函电极之间具有间隙,石墨烯层位于高功函电极和低功函电极远离二氧化硅层的一侧,且覆盖间隙,高功函电极与石墨烯层的接触面积大于低功函电极与石墨烯层的接触面积。实现石墨烯层位于高功函电极和低功函电极的上方,增加了吸光面积,同时高功函电极和低功函电极与石墨烯层非对称设置,高功函电极大于低功函电极,提升了光电流,增加了非对称面积石墨烯金属异质结光电探测器实用性。 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的