[实用新型]一种预切割的碳化硅晶圆片有效
申请号: | 202020131342.8 | 申请日: | 2020-01-20 |
公开(公告)号: | CN211350578U | 公开(公告)日: | 2020-08-25 |
发明(设计)人: | 陈为彬;林志东;陶永洪;史春林;程江涛;吴垚鑫 | 申请(专利权)人: | 厦门市三安集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
代理公司: | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人: | 张松亭;陈淑娴 |
地址: | 361000 福建省厦门*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种预切割的碳化硅晶圆片,包括碳化硅衬底、功能层和背金层,所述功能层设有若干器件区以及位于相邻器件区之间的切割道,所述背金层设有与所述切割道相对应的开槽区,所述开槽区底部设有至少两条与对应切割道的延伸方向平行并深入所述衬底的凹槽。本实用新型的晶圆片是对划片工艺的预切割,一方面保证了晶圆分成单颗芯粒时不会受背面金属影响,解决了金属延展性造成的双晶异常,另一方面可以引导划片裂片中的受压应力沿着切割道平行方向,有效降低垂直于切割道方向的崩边比例,提高了划片效率和制程良率。 | ||
搜索关键词: | 一种 切割 碳化硅 晶圆片 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门市三安集成电路有限公司,未经厦门市三安集成电路有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202020131342.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:可更换不同结构部件的灯罩
- 下一篇:一种恒照度一体化LED防眩光教室灯
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造