[实用新型]一种肖特基势垒二极管的钝化结构有效
| 申请号： | 202020150531.X | 申请日： | 2020-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN211088281U | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 徐婷;董文俊;刘芬 | 申请（专利权）人： | 扬州国宇电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L21/329;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 黄启兵 |
| 地址： | 225000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了半导体功率器件技术领域内的一种肖特基势垒二极管的钝化结构及其制备方法。本种钝化结构，包括第一金属层、钝化层、第二金属层，第一金属层设置于二极管的势垒层上方并与势垒层接触，钝化层设置于二极管的氧化层上方，钝化层覆盖第一金属层侧面，钝化层还延伸覆盖第一金属层上表面周缘，第二金属层设置于第一金属层上方，第二金属层覆盖第一金属层上表面以及位于第一金属层上方的部分钝化层。本种钝化结构可根据需要灵活调整第一金属层台阶高度，控制金属形貌，防止钝化层形貌异常或开裂等异常；同时能够有效的实现对平面肖特基势垒二极管产品金属与氧化层交界处的保护，增加产品的可靠性和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基势垒二极管 钝化 结构 | ||
【主权项】：
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