[实用新型]一种高压LED芯片

摘要

本实用新型公开了一种高压LED芯片，包括衬底，至少两个设于衬底上的发光结构，所述发光结构的侧面垂直于所述衬底，设于相邻两个发光结构之间的隔离槽，所述隔离槽贯穿所述发光结构并延伸至衬底的表面，填充在隔离槽内的填平层，所述填平层由透明不导电材料制成，设于发光结构和填平层上的绝缘层，设于绝缘层上并连接在相邻两个发光结构电极上的桥接电极。本发发光结构的侧面垂直于衬底，从而保证发光结构的发光面积。由于发光结构的侧面垂直于衬底，因此可以缩小隔离槽的宽度，从而减少桥接电极的长度，有效降低芯片的电压和提高芯片的稳定性。