[实用新型]用于高纯氯硅烷生产中去除含碳杂质的装置有效
申请号: | 202020204804.4 | 申请日: | 2020-02-24 |
公开(公告)号: | CN212315554U | 公开(公告)日: | 2021-01-08 |
发明(设计)人: | 杨典;万烨;赵雄;孙强;王芳;付强;裴蕾;张征 | 申请(专利权)人: | 洛阳中硅高科技有限公司;中国恩菲工程技术有限公司 |
主分类号: | C01B33/107 | 分类号: | C01B33/107 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 梁文惠 |
地址: | 471023 河南省*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种用于高纯氯硅烷生产中去除含碳杂质的装置。该装置包括:精馏装置,设置有物料入口和物料出口,用于脱除三氯氢硅原料中的高沸点组分和低沸点组分;以及吸附装置,与精馏装置的物料出口相连通,内部填充有富含氨基的树脂型吸附剂和铂系催化剂。应用本实用新型的技术方案,利用内部填充有富含氨基的树脂型吸附剂和铂系催化剂的吸附装置,将甲基氯硅烷杂质去通过吸附工艺去除掉,从而将多晶硅生产过程中精馏产品的总含甲基氯硅烷杂质含量降低到50ppb以下,生产出高纯度4N以上,含碳杂质<50ppb的高纯氯硅烷。 | ||
搜索关键词: | 用于 高纯 硅烷 生产 去除 杂质 装置 | ||
【主权项】:
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