[实用新型]制备低内应力区熔用电子级多晶硅的系统有效
| 申请号： | 202020217188.6 | 申请日： | 2020-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN212175076U | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 吴锋;李明峰;赵培芝;高召帅;韩锋 | 申请（专利权）人： | 江苏鑫华半导体材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/00 | 分类号： | C30B25/00;C30B29/06;C23C16/24;C23C16/455;C23C16/52;C30B13/00 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 肖阳 |
| 地址： | 221004 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了制备低内应力区熔用电子级多晶硅的系统。该低内应力制备区熔用电子级多晶硅的系统包括：多晶硅还原炉，所述多晶硅还原炉内设有底板、多个石墨夹头、多对硅棒，所述硅棒通过所述石墨夹头设在所述底板上；所述多对硅棒包括多对内圈硅棒和多对外圈硅棒，每对所述硅棒包括1个横梁和2个棒体；多个内圈硅棒棒径检测单元，所述内圈硅棒棒径检测单元与所述内圈硅棒相连；三氯氢硅‑氢气进料管线，所述三氯氢硅‑氢气料管线与所述多晶硅还原炉相连；多个二氯二氢硅‑氢气进料喷口，所述二氯二氢硅‑氢气进料喷口布置在所述内圈硅棒的横梁与所述底板中心的连线上。该系统可以产出内应力较小区熔用电子级多晶硅产品。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 内应力 用电 多晶 系统 | ||
【主权项】：
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