[实用新型]全无机钙钛矿器件有效
申请号: | 202020235959.4 | 申请日: | 2020-03-02 |
公开(公告)号: | CN211238273U | 公开(公告)日: | 2020-08-11 |
发明(设计)人: | 袁晨辰;牛欢欢;朱桂;赵英杰;范利生;田清勇;范斌 | 申请(专利权)人: | 昆山协鑫光电材料有限公司 |
主分类号: | H01L31/075 | 分类号: | H01L31/075;H01L31/032 |
代理公司: | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人: | 赵世发 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: |
本实用新型公开了一种全无机钙钛矿器件。所述全无机钙钛矿器件包括导电基底、空穴传输层、钙钛矿层、电子传输层以及金属电极,所述钙钛矿层设置于所述电子传输层与空穴传输层之间,且所述钙钛矿层与所述电子传输层之间设置有In |
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搜索关键词: | 无机 钙钛矿 器件 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的