[实用新型]PECVD射频电极通断切换系统及PECVD装置有效
申请号: | 202020276396.3 | 申请日: | 2020-03-09 |
公开(公告)号: | CN211897107U | 公开(公告)日: | 2020-11-10 |
发明(设计)人: | 邓必龙;郑利勇 | 申请(专利权)人: | 龙鳞(深圳)新材料科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/505 | 分类号: | C23C16/505 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 胡彬;潘登 |
地址: | 518000 广东省深圳市坪山区坪山*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及化学气相沉积技术领域,具体公开了一种PECVD射频电极通断切换系统,该PECVD射频电极通断切换系统包括静触端、动触端和驱动件,动触端和静触端中的一个与射频电极片连接,另一个与馈入电极连接,动触端具有间隔设置的第一位置和第二位置,驱动件与动触端连接,以驱动动触端在第一位置和第二位置之间切换。当动触端位于第一位置时,动触端与静触端面接触,此时,射频电极片与馈入电极导通,由于动触端与静触端面接触,因而能够保证动触端和静触端具有较大的接触面积,保证接触良好;当动触端位于第二位置时,动触端与静触端分离,此时,射频电极片与馈入电极断开。 | ||
搜索关键词: | pecvd 射频 电极 切换 系统 装置 | ||
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的