[实用新型]功率器件有效
| 申请号： | 202020283778.9 | 申请日： | 2020-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN211350661U | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 李东升;章剑锋;朱林佩 | 申请（专利权）人： | 瑞能半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/417;H01L29/423;H01L21/331;H01L27/082 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 臧静 |
| 地址： | 330052 江西省南昌市*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种功率器件，功率器件包括：外延层，设置有依次分布的多个晶体管单元，每个晶体管单元内形成有相互间隔设置的多个发射极沟槽和一个栅极沟槽且一个栅极沟槽设置于相邻两个发射极沟槽之间，发射极沟槽的深度大于栅极沟槽的深度；栅极，设置于栅极沟槽并在栅极沟槽与外延层绝缘设置；冗余发射极，设置于发射极沟槽并在发射极沟槽与外延层绝缘设置。本实用新型实施例提供的功率器件，能够满足功率器件的功能需求，同时能够降低功率器件的饱和压降以及关断损耗，优化功率器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瑞能半导体科技股份有限公司，未经瑞能半导体科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202020283778.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种基于混合现实的截肢模拟教学装置
- 下一篇：一种配网线路低电流取电装置
- 同类专利
- 专利分类
