[实用新型]氮化镓半导体器件有效
| 申请号： | 202020290078.2 | 申请日： | 2020-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN211529944U | 公开（公告）日： | 2020-09-18 |
| 发明（设计）人： | 姚卫刚 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（苏州）半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L25/18;H01L21/56;H01L21/768;H01L23/31;H01L23/48 |
| 代理公司： | 珠海智专专利商标代理有限公司 44262 | 代理人： | 薛飞飞;黄国豪 |
| 地址： | 215000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种氮化镓半导体器件，氮化镓半导体器件包括晶体管、二极管、密封材料、第一电气互连件和第二电气互连件。晶体管包括第一基板、栅极、源极和漏极，栅极、源极和漏极均位于第一基板的正面。二极管包括第二基板、阳极和阴极，阳极和阴极中的至少一个位于第二基板的正面，第一基板的背面与第二基板的背面粘结固定。密封材料至少部分包裹晶体管和二极管，第一电气互连件将源极与阳极电连接，第二电气互连件将漏极与阴极电连接，第一电气互连件和第二电气互连件两者中的至少一个穿过密封材料。该氮化镓半导体器件能够减小寄生电感和寄生电阻，且能够缩小单颗芯片面积。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 半导体器件 | ||
【主权项】：
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