[实用新型]集成光学传感器有效
申请号: | 202020341312.X | 申请日: | 2020-03-18 |
公开(公告)号: | CN211320103U | 公开(公告)日: | 2020-08-21 |
发明(设计)人: | 范成至;周正三 | 申请(专利权)人: | 神盾股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/357;H04N5/369;H04N5/374;G06K9/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 王天尧;汤在彦 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本新型提供了一种集成光学传感器,至少包含一基板、一光模组层及多个微透镜。基板具有多个感测像素。光模组层位于基板上。所述多个微透镜位于光模组层上。光模组层的厚度定义出所述多个微透镜的焦距,所述多个微透镜将来自一目标物的目标光线,通过光模组层作光学处理后聚焦于所述多个感测像素中。光模组层至少包含一滤光结构层,来对目标光线作滤光处理。光模组层是由相容于互补金属氧化物半导体工艺的材料所构成。 | ||
搜索关键词: | 集成 光学 传感器 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的