[实用新型]一种基于Ce：GAGG闪烁晶体的闪烁屏结构有效
| 申请号： | 202020395658.8 | 申请日： | 2020-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN211699744U | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 王璐;丁雨憧;王强;董鸿林;方承丽 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 |
| 主分类号： | G21K4/00 | 分类号： | G21K4/00;G01T1/202 |
| 代理公司： | 重庆博凯知识产权代理有限公司 50212 | 代理人： | 胡逸然 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种基于Ce：GAGG闪烁晶体的闪烁屏结构，包括基板、反射层、Ce：GAGG闪烁晶体层，基板采用不透光材料制作，其中，反射层设置在基板及Ce：GAGG闪烁晶体层之间；基板表面设有与反射层及Ce：GAGG闪烁晶体层形状相匹配的安装槽，反射层及Ce：GAGG闪烁晶体层设置在安装槽内。与现有技术相比，Ce：GAGG闪烁晶体不潮解，闪烁屏结构更加简单；Ce：GAGG闪烁晶体与CsI（Tl）闪烁晶体相比，光输出接近、衰减时间短、密度更大、能量分辨率更好、性价比更高；密度和有效原子序数更大，使其具有更高的探测效率；Ce：GAGG闪烁晶体屏与CsI（Tl）闪烁晶体屏相比，Ce：GAGG闪烁晶体屏容易加工，闪烁屏制作无需专用设备，投入成本少。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 ce gagg 闪烁 晶体 结构 | ||
【主权项】：
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