[实用新型]一种具有饱和导通压降测试电路的IGBT测试装置有效
| 申请号： | 202020425534.X | 申请日： | 2020-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN212845732U | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 黄道姗;林焱;吴丹岳;林芳;方晓玲;杜培;张慧瑜;张伟骏 | 申请（专利权）人： | 国网福建省电力有限公司电力科学研究院;国网福建省电力有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01R1/04;G01R1/18 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 丘鸿超;蔡学俊 |
| 地址： | 350007 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种具有饱和导通压降测试电路的IGBT测试装置，包括：基板；总控制器，所述总控制器设置在所述基板上；栅极阈值电压测试电路，所述栅极阈值电压测试电路与所述总控制器连接，并用于与一个待测IGBT模组连接；集射极截止电流测试电路，所述集射极截止电流测试电路与所述总控制器连接，并用于与一个待测IGBT模组连接；以及饱和导通压降测试电路，所述饱和导通压降测试电路与所述总控制器连接，并用于与一个待测IGBT模组连接。该IGBT测试装置有利于同时为多个待测IGBT模组进行测试或者对一个待测IGBT模组进行多种测试，从而综合测试待测IGBT模组的栅极阈值电压、集射极电流以及饱和导通压降。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 饱和 导通压降 测试 电路 igbt 装置 | ||
【主权项】：
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