[实用新型]一种低电容瞬态电压抑制器有效
| 申请号： | 202020431718.7 | 申请日： | 2020-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN212434623U | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 蒋骞苑;赵德益;赵志方;吕海凤;张啸;王允;李亚文 | 申请（专利权）人： | 上海维安半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L21/8222 |
| 代理公司： | 上海东亚专利商标代理有限公司 31208 | 代理人： | 董梅 |
| 地址： | 201202 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种低电容瞬态电压抑制器，采用衬底硅片，在TVS器件结构基础上，在衬底与外延之间增加N+埋层，并通过深N+/浅N+区引出，或者，在衬底与外延之间增加P+埋层，并通过深P+/浅P+区引出。本实用新型与传统低容结构的TVS器件，在不增加硅片面积的情况下，通过增加电流导通面积，使抗浪涌及静电释放的能力得以大幅提升，满足高速信号传输端口的要求，可以应用在诸如网口、RJ45、无线局域网、笔记本电脑等设备中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电容 瞬态 电压 抑制器 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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