[实用新型]一种大电流IGBT芯片结构有效
| 申请号： | 202020457303.7 | 申请日： | 2020-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN211743164U | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 朱旭强 | 申请（专利权）人： | 宜兴杰芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京思创大成知识产权代理有限公司 11614 | 代理人： | 尹慧晶 |
| 地址： | 214200 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种大电流IGBT芯片结构，该芯片结构包括位于芯片外周的截止环区和位于芯片正中的栅极焊线区，在截止环区以内、栅极焊线区以外设有能够进行区域划分以形成多个独立发射极焊线区的栅极总线。本实用新型的大电流IGBT芯片，将大面积长距离的传统栅极走线分布优化为多条栅极总线分支的优化分布，大大提供了栅极开关的一致性和均匀性，从而避免了大电流大面积IGBT芯片在实际应用中的电流集中效应，大幅提高了产品的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电流 igbt 芯片 结构 | ||
【主权项】：
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