[实用新型]用于提高直拉单晶生长速度的热辐射反射装置有效
| 申请号： | 202020478077.0 | 申请日： | 2020-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN211872143U | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 王利伟;尹嘉琦;李万朋;滕野;陈召彬 | 申请（专利权）人： | 大连连城数控机器股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/16 | 分类号： | C30B15/16;C30B29/06 |
| 代理公司： | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人： | 赵淑梅;李洪福 |
| 地址： | 116000 辽宁省大连市甘井子区营城*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种用于提高直拉单晶生长速度的热辐射反射装置，包括设置在直拉单晶炉的炉盖内侧的反射装置，所述反射装置具有至少一个用于反射热辐射的反射面。本实用新型提供的用于提高直拉单晶生长速度的热辐射反射装置，通过在炉盖处增加反射环，实现将原本经由炉盖内壁反射至单晶棒的热辐射、以及经由炉盖反射至热屏与单晶棒之间的空间区域的热辐射，反射至炉盖的低温区，从而降低单晶棒温度，并提高单晶棒纵向温度梯度，实现加快单晶棒散热的目的，从而提高单晶生长速度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 提高 直拉单晶 生长 速度 热辐射 反射 装置 | ||
【主权项】：
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