[实用新型]一种MOSFET封装结构有效
| 申请号： | 202020485401.1 | 申请日： | 2020-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN211743131U | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 田园农 | 申请（专利权）人： | 西安安森德半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/49;H01L23/495;H01L29/78 |
| 代理公司： | 深圳市神州联合知识产权代理事务所(普通合伙) 44324 | 代理人： | 周松强 |
| 地址： | 710000 陕西省西安市高新*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种MOSFET封装结构，该封装结构包括有芯片、芯片载体、引脚部和壳体，所述芯片固定设置在芯片载体上，所述引脚部上设置有复数根压焊线，所述引脚部通过复数根压焊线与芯片连接，所述芯片、芯片载体和引脚部均固定设置在壳体内，其特征在于，所述芯片载体包括有固定连接的芯片载体主体和漏极部，所述芯片固定设置在芯片载体主体上，所述引脚部包括有栅极部和源极部，且所述栅极部和源极部为非对称式结构。上述栅极部和源极部为非对称式结构的设置，使得该封装结构的栅极部和源极部上面的压焊线更加合理的分布，使得该封装结构的内部构造更加合理。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mosfet 封装 结构 | ||
【主权项】：
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