[实用新型]一种芯片植球装置有效
| 申请号： | 202020493906.2 | 申请日： | 2020-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN211828687U | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 赵腾俊;刘欣 | 申请（专利权）人： | 海太半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 无锡市朗高知识产权代理有限公司 32262 | 代理人： | 赵华 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型的目的在于，提供一种芯片植球装置，去除锡球的过程采用铜纤维导热配合有机助焊剂，可以将锡球均匀加热熔融，并吸附至铜纤维上；一种植球装置，包括：基座1和栅格顶板2；所述基座1包括底板11和放置台12，所述放置台12设置在所述底板11上；所述放置台12包括有与所述栅格顶板2配合的凸起121，所述放置台12还包括有夹取缺口122；所述栅格顶板2设置有与放置台12上的凸起121配合的凹槽21；还设置有导流槽22；本实用新型的有益效果为：去除锡球的过程采用铜纤维导热配合有机助焊剂，可以将锡球均匀加热熔融，并吸附至铜纤维上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海太半导体（无锡）有限公司，未经海太半导体（无锡）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202020493906.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
