[实用新型]一种用于制备黑组件太阳能电池的正膜结构有效
申请号: | 202020516784.4 | 申请日: | 2020-04-09 |
公开(公告)号: | CN211654833U | 公开(公告)日: | 2020-10-09 |
发明(设计)人: | 胡茂界;丁晨;陈刚 | 申请(专利权)人: | 浙江爱旭太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216 |
代理公司: | 金华智芽专利代理事务所(普通合伙) 33307 | 代理人: | 陈迪 |
地址: | 322000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种用于制备黑组件太阳能电池的正膜结构。它包括电池片,所述电池片的正面依次沉积有高折射率氮氧化硅膜、氮化硅膜、低折射率氮氧化硅膜、氧化硅膜,氮化硅膜包括下层氮化硅膜、中层氮化硅膜、上层氮化硅膜,其中,各层膜的厚度关系为由内向外逐渐增厚;各层膜的折射率关系为由内向外逐渐降低。本实用新型通过改进正面膜层结构以及优化镀膜工艺,优化太阳光的陷光效果,使所制备的太阳能电池在组件层压后膜色发黑,解决现有电池片层压后膜色发蓝无法用于黑背板组件的难题。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 制备 组件 太阳能电池 膜结构 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的