[实用新型]一种图形化外延生长的设备结构有效

专利信息
申请号: 202020541308.8 申请日: 2020-04-13
公开(公告)号: CN212476874U 公开(公告)日: 2021-02-05
发明(设计)人: 宣荣卫;吕俊 申请(专利权)人: 艾华(无锡)半导体科技有限公司
主分类号: C23C16/44 分类号: C23C16/44;C23C16/56;C23C14/22;C23C14/58;H01L21/67;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 连云港联创专利代理事务所(特殊普通合伙) 32330 代理人: 刘刚
地址: 214000 江苏省无锡*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型涉及图形化功能层制备技术领域,且公开了一种图形化外延生长的设备结构,包括真空腔室,所述真空腔室一端设置有供气管,且所述供气管与所述真空腔室固定连接,所述供气管远离所述真空腔室一端设置有真空泵,且所述真空泵与所述供气管固定连接。该一种图形化外延生长的设备结构,通过设置真空腔室,将晶圆置于真空腔室,有利于功能膜层的均匀性,同时极大的减少污染提高成品率,激光发生器通过激光窗口向真空腔室内部照射,激光窗口允许激光通过并照射在晶圆的表面,激光发生器产生的激光通过光学聚焦系统形成纳米尺度光斑,使得装置与3D打印机相比可以打印纳米级图案,可应用在集成电路制备。
搜索关键词: 一种 图形 化外 生长 设备 结构
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