[实用新型]一种真空吸附装置有效
| 申请号： | 202020550210.9 | 申请日： | 2020-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN211929459U | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 刘普然;陈志刚;李青桦 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路制造（绍兴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 312000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种真空吸附装置，对基底的第一表面进行吸附固定，基底的第一表面包括去边层和结构层，去边层环绕在结构层的外周围，真空吸附装置包括：基座，基座具有第一区域和第二区域，第二区域环绕第一区域；第一支撑组件，设置在基座的第一区域上，用于在结构层位置吸附第一表面；第二支撑组件，设置在基座的第二区域上，用于在去边层位置吸附第一表面，并且第二支撑组件的支撑面高于第一支撑组件的支撑面，并且，第二支撑组件在第二区域内沿第一方向可移动，第一方向为靠近或远离基座的中心的方向。本实用新型提供的真空吸附装置避免了传统的真空吸盘上同一规格的真空吸附组件在同时吸附晶圆背部去边部分和非去边部分时发生漏气的情况。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 真空 吸附 装置 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
