[实用新型]功率MOSFET器件有效
| 申请号： | 202020573474.6 | 申请日： | 2020-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN212161822U | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 陈译;陆佳顺;杨洁雯 | 申请（专利权）人： | 苏州硅能半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 马明渡;王健 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市苏州工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种功率MOSFET器件，其重掺杂N型漏极区和中掺杂P型基极区之间具有一轻掺杂N型漂移区，一位于中掺杂P型基极区中沟槽延伸至轻掺杂N型漂移区下部，所述中掺杂P型基极区上部内且位于沟槽的周边具有第一重掺杂N型源极区；所述沟槽内下部具有第二N型源极部，此沟槽内上部具有栅极部，所述栅极部与沟槽之间的第一氧化硅层的宽度从上往下逐渐变宽，相应地栅极部的宽度从上往下逐渐变窄。本发明功率MOSFET器件可提高轻掺杂N型漂移区的掺杂浓度，增加耐压的情况下，将关断时将导通电阻降低，且改善了MOSFET器件开关速度。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 mosfet 器件 | ||
【主权项】：
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