[实用新型]基于磁场耦合的隔离放大器结构有效
| 申请号： | 202020590909.8 | 申请日： | 2020-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN211908751U | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 黄海滨;马辉;蒋赛尖 | 申请（专利权）人： | 无锡思泰迪半导体有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/68 | 分类号： | H03F3/68 |
| 代理公司： | 无锡盛阳专利商标事务所(普通合伙) 32227 | 代理人： | 张宁;杨辰 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及隔离放大器技术领域，具体为一种基于磁场耦合的隔离放大器结构，其能够实现发送端、接收端、耦合器件集成于一个芯片，其包括发送端模块、接收端模块和耦合器件，其特征在于，所述发送端模块包括顺次连接的前置放大器/滤波器、脉冲宽度调制器、电流源开关组，所述接收端模块包括顺次连接的放大整形电路和低通滤波器，所述耦合器件包括线圈和磁传感器，所述线圈和磁传感器之间设置有绝缘层。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 磁场 耦合 隔离放大器 结构 | ||
【主权项】：
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