[实用新型]一种半导体制造用湿法氧化装置有效
| 申请号： | 202020611027.5 | 申请日： | 2020-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN211828682U | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 王昭 | 申请（专利权）人： | 天水天光半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/02 |
| 代理公司： | 兰州锦知源专利代理事务所(普通合伙) 62204 | 代理人： | 杜文化 |
| 地址： | 741000 甘*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本实用新型属于半导体制造技术领域，涉及一种半导体制造用湿法氧化装置。包括扩散炉和水气供给管路，所述水气供给管路包括与氧气源连接的输氧管、与氮气源连接的输氮管、与去离子水源连接的去离子水输送管，所述输氧管和输氮管上设置有开关阀和流量控制阀，所述去离子水输送管上设有开关阀和水泵，所述输氧管和输氮管连接于扩散炉的进气口，所述去离子水输送管伸入扩散炉的炉膛内。相较于现有的湿法水汽氧化设备，本实用新型采用去离子水直接输送进入扩散炉中进行汽化，能够保证去离子水蒸汽供应量的稳定，从而保证半导体元器件上氧化层生长速率稳定，一致性较好，同时简化了设备结构，降低了成本，并杜绝了人员操作过程发生烫伤的安全隐患。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 制造 湿法 氧化 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
