[实用新型]高压半导体功率装置的边缘终接的结构有效
| 申请号： | 202020631223.9 | 申请日： | 2020-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN211700290U | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 苏毅 | 申请（专利权）人： | 南京紫竹微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 210008 江苏省南京市江北新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种高压半导体功率装置的边缘终接的结构，其特征在于，在硅衬底中形成有核心沟槽及终端沟槽，其中所述终端沟槽比所述核心沟槽的深度深；所述核心沟槽及终端沟槽包括设于沟槽内侧壁和底部表面的氧化物，和位于所述氧化物之间的第一多晶硅。通过沟槽布局设计来改善边缘终止击穿的方法，从而能降低工艺成本；且通过沟槽布局设计，无需增加任何额外的掩模层或任何额外的处理步骤，即可实现高终端击穿电压，从而更好应用于较小尺寸的集成电路芯片范围。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 半导体 功率 装置 边缘 结构 | ||
【主权项】：
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