[实用新型]晶圆片气相沉积用盖板有效
申请号: | 202020652279.2 | 申请日: | 2020-04-26 |
公开(公告)号: | CN212223098U | 公开(公告)日: | 2020-12-25 |
发明(设计)人: | 朱海艳 | 申请(专利权)人: | 沈阳芯贝伊尔半导体科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 110000 辽宁省*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本实用新型提供了一种晶圆片气相沉积用盖板,晶圆片气相沉积用盖板包括:盖板本体、定位孔、支撑脚、透气孔和安装孔;至少两个定位孔贯穿盖板本体,至少两个定位孔均匀设置在盖板本体上,且晶圆片嵌入定位孔内;至少四个支撑脚分别与至少两个定位孔相连接,支撑脚向定位孔中心延伸,且支撑脚与晶圆片相贴合;至少两个透气孔贯穿盖板本体,且至少两个透气孔与至少两个定位孔间隔设置;至少两个安装孔贯穿盖板本体,且至少两个安装孔同时位于盖板本体的中心线上;其中,支撑脚的横截面为梯形,支撑脚的宽度由靠近盖板本体的一端向远离盖板本体的一端减小,且支撑脚与盖板本体为一体式结构。 | ||
搜索关键词: | 晶圆片气相 沉积 盖板 | ||
【主权项】:
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的