[实用新型]一种碳化硅单晶的生长装置有效
| 申请号： | 202020716816.5 | 申请日： | 2020-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN212560515U | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 刘星;周敏;刘圆圆;张红岩;姜岩鹏 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11716 | 代理人： | 王宽 |
| 地址： | 250118 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种碳化硅单晶的生长装置，包括:长晶炉、第一坩埚、第二坩埚和旋转升降机构，所述长晶炉内部形成炉体腔室；所述第一坩埚底部分布有多个第一通孔；所述第二坩埚顶部分布有多个与第一通孔贯通的第二通孔，所述第二坩埚位于第一坩埚的下方，所述第一坩埚和第一坩埚均设置于所述炉体腔室中；所述旋转升降机构与第一坩埚和/或第二坩埚连接。本实用新型将第一坩埚底部开有多个第一通孔，第二坩埚顶部开有多个第二通孔，可以灵活控制第一通孔和第二通孔处于对齐相通状态，使第二坩埚中的富硅气相向籽晶方向输送，可以弥补第一坩埚内生长气氛中的硅碳比失衡的缺陷，解决硅碳比失衡问题，避免晶体生长过程中包裹体等缺陷的形成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 生长 装置 | ||
【主权项】：
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