[实用新型]射频器件有效
申请号: | 202020727716.2 | 申请日: | 2020-05-06 |
公开(公告)号: | CN211789401U | 公开(公告)日: | 2020-10-27 |
发明(设计)人: | G·奥尔顿 | 申请(专利权)人: | 楼氏卡泽诺维亚公司 |
主分类号: | H01P1/20 | 分类号: | H01P1/20;H01P1/203;H01P3/10;H01P1/00;H01R4/64 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 师玮;王小东 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 射频器件。一种微波或射频RF器件包括基板,该基板包括电绝缘材料。该基板具有第一表面和与第一表面平行的第二表面。该RF器件还包括设置在基板的第一表面上的RF组件。该RF器件还包括设置在基板的第二表面上的导电层,导电层形成与RF组件电绝缘的接地平面。该RF器件还包括设置在基板的与第一表面共面的表面上的缺陷接地结构,其中,该缺陷接地结构电连接到导电层,并且其中,该缺陷接地结构包括与RF组件相邻并且相对于RF组件横向延伸的多个横向延伸构件。 | ||
搜索关键词: | 射频 器件 | ||
【主权项】:
暂无信息
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