[实用新型]一种排废系统有效
申请号: | 202020734247.7 | 申请日: | 2020-05-07 |
公开(公告)号: | CN212161762U | 公开(公告)日: | 2020-12-15 |
发明(设计)人: | 王贵梅;王盼;朱少杰 | 申请(专利权)人: | 晶澳太阳能有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L31/18 |
代理公司: | 北京市万慧达律师事务所 11111 | 代理人: | 顾友 |
地址: | 055550 *** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本实用新型公开一种排废系统,该排废系统至少包括第一排废管道、第二排废管道及主排废管道,第一排废管道与第二排废管道并联设置;第一排废管道包括第一进水口及第一出水口,第一进水口与酸槽连通,第一出水口与主排废管道连通,第一排废管道包括一水封管;第二排废管道包括第二进水口及第二出水口,第二进水口与刻蚀槽连通,第二出水口与主排废管道连通;该排废系统将刻蚀槽和酸槽的排废管道进行合并流入同一个主排废管道,从而减少管道结构,节约安装空间;通过在与酸槽连接的第一排废管道中设置水封管形成水封,有效避免刻蚀槽中溢出的具有强氧化性的酸雾进入酸槽之后氧化酸洗后的硅片表面,造成色差硅片的情况,保证电池片质量。 | ||
搜索关键词: | 一种 系统 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造