[实用新型]一种防止打火的等离子刻蚀装置的下电极结构有效
| 申请号： | 202020751930.1 | 申请日： | 2020-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN211957593U | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 王铖熠;刘小波;郭颂;侯永刚;李娜;张军;胡冬冬;许开东 | 申请（专利权）人： | 北京鲁汶半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/04 | 分类号： | H01J37/04 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 肖鹏 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种防止打火的等离子刻蚀装置的下电极结构，包括下电极和外部进气通道；下电极的上表面设置有冷却气槽；冷却气体经外部进气通道进入冷却气槽；外部进气通道内靠近下电极的一端沿气流方向嵌入设置有多个首尾相连的毛细管；每个毛细管的两端均设置有台阶沉槽；每个毛细管包括多个沿气流方向的流通支管；流通支管的两端开设在台阶沉槽的槽底；相邻的两个毛细管的流通支管交错布置。本实用新型通过毛细管将冷却气体分流；相邻的两个毛细管的流通支管交错布置，从而在流动方向不会有较长的线性冷却气体的流动通道，进一步分隔减小了冷却气体通道的空间，防止打火；毛细管两端的台阶沉槽可防止流通支管的堵塞。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 防止 打火 等离子 刻蚀 装置 电极 结构 | ||
【主权项】：
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