[实用新型]一种由硅到金属晶圆键合的高温高压传感器有效
| 申请号： | 202020764372.2 | 申请日： | 2020-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN212517241U | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 黄向向;杨敏;道格拉斯·雷·斯巴克斯;费玉斌;关健;孙斯佳 | 申请（专利权）人： | 罕王微电子（辽宁）有限公司 |
| 主分类号： | H01L41/113 | 分类号： | H01L41/113;H01L41/22;G01L1/16;G01L9/08 |
| 代理公司： | 沈阳晨创科技专利代理有限责任公司 21001 | 代理人： | 张晨 |
| 地址： | 113000 辽宁省抚顺*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种由硅到金属晶圆键合的高温高压传感器，其特征在于：所述的由硅到金属晶圆键合的高温高压传感器，包括硅电阻层，金属圆片，金属薄膜，键合界面，金属连接层；其中：硅电阻层为高温压力传感器电阻层，组成电桥，金属圆片为高温压力传感器主体结构，为硅电阻层提供衬底结构，金属圆片通过数控机床机械加工而形成金属薄膜3，为感受压力金属薄膜，键合界面是硅晶圆与金属圆片键合形成的键合界面，金属连接层起到电路连接的作用。本实用新型的优点：本实用新型所述的由硅到金属晶圆键合的高温高压传感器，原理结构简单，精度高，稳定性好，有效克服传统高温高压传感器在高温下精度低、稳定性差的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 晶圆键合 高温 高压 传感器 | ||
【主权项】：
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