[实用新型]一种用于驱动MOS管的高压浮栅型驱动电路有效
| 申请号： | 202020767431.1 | 申请日： | 2020-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN211908692U | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 吴珏 | 申请（专利权）人： | 中科芯集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H02P7/285 | 分类号： | H02P7/285 |
| 代理公司： | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 杨立秋 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市滨湖区蠡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种用于驱动MOS管的高压浮栅型驱动电路，包括U线上桥驱动电路、U线下桥驱动电路和电机，所述U线上桥驱动电路包括电容CD11，电容CD11的一端通过二极管D1连接有15V电源，另一端接在电机相线上；所述U线下桥驱动电路包括NPN晶体管Q12和PNP晶体管Q24，所述NPN晶体管Q12的集电极与PNP晶体管Q24的基极连接，所述NPN晶体管Q12的集电极通过电阻R135连接15V电源，NPN晶体管Q12的发射极通过电阻R141接通有U相驱动信号。本实用新型，使用N沟道的MOS管代替P沟道的MOS管，节省了企业的成本，而且通过设置电容CD11和N‑MOS管V1电机绕组实现快速充电，为下个周期做准备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 驱动 mos 高压 浮栅型 电路 | ||
【主权项】：
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