[实用新型]一种半导体功率器件结构有效
| 申请号： | 202020826199.4 | 申请日： | 2020-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN211743165U | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 黄健;孙闫涛;顾昀浦;宋跃桦;吴平丽;樊君;张丽娜 | 申请（专利权）人： | 捷捷微电（上海）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 深圳市创富知识产权代理有限公司 44367 | 代理人： | 曾敬 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种半导体功率器件结构，包括第一导电类型的衬底及位于衬底上的第一导电类型的外延层，外延层内设置有沟槽，沟槽中填充有栅极多晶硅和浮栅多晶硅，栅极多晶硅与沟槽的侧壁隔离有隔离氧化层，栅极多晶硅与浮栅多晶硅之间隔离有阻挡氧化层，浮栅多晶硅与沟槽的侧壁及底壁隔离有栅氧化层。本实用新型通过在栅极多晶硅底部设置浮栅多晶硅，使得器件反向工作时，正电荷以隧道效应穿过栅氧化层存储到浮栅多晶硅内，达到降低等效阈值电压Vth的目的，以便显著降低器件的正向电压Vf；通过设置栅氧化层‑浮栅多晶硅‑阻挡氧化层的多层浮栅结构，增加了寄生电容的介质厚度，降低了寄生电容，提高了器件的开关速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 功率 器件 结构 | ||
【主权项】：
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