[实用新型]一种晶圆级真空封装的MEMS晶振有效
| 申请号： | 202020842154.6 | 申请日： | 2020-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN212532294U | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 潘盛轩 | 申请（专利权）人： | 加高电子（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;H03H9/02;H03H9/19 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518103 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种晶圆级真空封装的MEMS晶振，包括保护盖和MEMS晶振主体，外绝缘层和内绝缘层均为一种绝缘漆材料制成的构件，提高保护盖的绝缘效果，外防腐层和内防腐层均为一种防腐漆材料制成的构件，提高保护盖的防腐效果，进一步提高保护盖的使用寿命，壳体为一种硅钢材料制成的构件，硅钢具有导磁率高、矫顽力低、电阻系数大等特性，进一步提高保护盖的绝缘效果，保护盖与MEMS晶振主体之间形成缓冲空腔，缓冲空腔呈梯形，在MEMS晶振受到外界冲压时，梯形的缓冲空腔使得保护盖在受到冲压时有一定的缓冲空间，降低MEMS晶振主体受到的冲击力，提高保护盖的保护效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆级 真空 封装 mems 晶振 | ||
【主权项】：
暂无信息
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