[实用新型]一种深紫外LED封装结构有效
| 申请号： | 202020842515.7 | 申请日： | 2020-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN213340411U | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 柳星星;彭洋;王志涛 | 申请（专利权）人： | 武汉高星紫外光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/62;H01L33/54 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种深紫外LED封装结构。封装结构包括含围坝的三维陶瓷基板、含金属环的石英透镜、焊料层和深紫外LED芯片，所述三维陶瓷基板围坝上设有台阶，所述深紫外LED芯片位于所述三维陶瓷基板围坝内的线路层上，所述石英透镜金属环一侧对应放置于所述三维陶瓷基板围坝的台阶上，并通过所述焊料层完成焊接固定。通过本实用新型，实现了不同发光角度的深紫外LED，且提高了深紫外LED长期可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 深紫 led 封装 结构 | ||
【主权项】：
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