[实用新型]一种基于混合芯片与注塑工艺的硅基板挖腔结构有效

专利信息
申请号: 202020855979.1 申请日: 2020-05-21
公开(公告)号: CN212033001U 公开(公告)日: 2020-11-27
发明(设计)人: 胡孝伟;代文亮;郭玉馨 申请(专利权)人: 上海芯波电子科技有限公司
主分类号: H01L23/055 分类号: H01L23/055;H01L23/31;H01L25/18
代理公司: 上海乐泓专利代理事务所(普通合伙) 31385 代理人: 王瑞
地址: 201203 上海市浦东新*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 实用新型的一种基于混合芯片与注塑工艺的硅基板挖腔结构,包括硅基板,硅基板一侧设有向内凹陷的凹槽和若干个均匀分布的BGA引脚,凹槽内设有FC芯片,硅基板远离FC芯片的一侧贴装有WB芯片和SMT器件,硅基板内设有相贯通的通孔,通孔内填充有导电材料,WB芯片和SMT器件均通过通孔与BGA引脚导通,硅基板上贴装有WB芯片和SMT器件的一侧覆盖有注塑层。结合塑料封装与硅基板的特性,硅基板在引脚侧进行挖腔,放置FC芯片;并在另外一侧进行注塑以保护其他器件;既减小封装尺寸,又同时可兼顾两种封装的优点,实现高速高密,可多环境使用。保证了在芯片厚度较厚时也可以将芯片放置在引脚侧,避免芯片对引脚使用的影响。
搜索关键词: 一种 基于 混合 芯片 注塑 工艺 硅基板挖腔 结构
【主权项】:
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