[实用新型]一种用于碳化硅单晶生长的石墨坩埚有效
| 申请号： | 202020875855.X | 申请日： | 2020-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN212375418U | 公开（公告）日： | 2021-01-19 |
| 发明（设计）人： | 胡小波;王垚浩;徐现刚;于国建;杨祥龙;陈秀芳;徐南 | 申请（专利权）人： | 广州南砂晶圆半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 511458 广东省广州市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种用于碳化硅单晶生长的石墨坩埚，通过将坩埚盖中靠近坩埚体的下表面设置为包括第二下表面、凸出于第二下表面的第一下表面，第一下表面和第二下表面之间形成倾斜的坩埚盖台阶面；同时，将坩埚体端口处的内壁设置为倾斜内壁。这样，坩埚盖与坩埚体装配后，坩埚盖台阶面与倾斜内壁相接触，进而坩埚盖与坩埚体之间以倾斜面密封。另外，在坩埚盖的第二下表面上开设有第一固定孔，坩埚盖与坩埚体通过穿设在第一固定孔中的坩埚紧固部件紧固，第二下表面与坩埚体的端口面之间具有一定的间距，坩埚盖的第二下表面与坩埚体的端口面之间的间隙，可以使该处的坩埚紧固部件完全暴露在坩埚外部的气氛中，进而可以使坩埚的使用寿命延长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 碳化硅 生长 石墨 坩埚 | ||
【主权项】：
暂无信息
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