[实用新型]耐高压功率二极管器件有效
| 申请号： | 202020886235.6 | 申请日： | 2020-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN211858642U | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 廖兵;沈礼福 | 申请（专利权）人： | 苏州达晶微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L23/367;H01L23/31;H01L25/11 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 王健 |
| 地址： | 215163 江苏省苏州市高*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种耐高压功率二极管器件，其金属基座的上表面具有2个支撑部，所述2个二极管芯片位于金属基座正上方并且其各自同极性一端分别通过焊锡层与金属基座的2个支撑部电连接，位于金属基座下端的第一引脚部从环氧封装层内延伸出；所述引线架进一步包括横金属板和分别位于横金属板两端的第一竖金属板和第二竖金属板，所所述环氧封装层的下表面且位于2个所述第二引脚部左右侧均开有至少一个第一凹槽，所述环氧封装层的下表面且位于第一引脚部前后侧均开有至少一个第二凹槽。本实用新型既有利于进一步降低器件的体积和占用PCB电路板的面积，也有利于快速将二极管芯片热量扩散出。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 功率 二极管 器件 | ||
【主权项】：
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